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一、产品概述:液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。二、主要特点:1. 我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch);2. 纯度高(>99.99%);3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。三、产品应用用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
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