1、出色的抗热冲击阻力
2、出色的抗物理冲击阻力
3、出色的耐化学性
4、超高纯度
5、可加工成各种复杂的形状
6、在氧化环境下仍然可以使用
7、较长的寿命
| 性能 | 单位 | 数值 |
| 密度 | g/cm³ | 14.3 |
| 熔点 | ℃ | 3880 |
| 晶格常数 | nm | 0.4454 |
| 硬度 | HK | 2000 |
| 热导率 | W/（m·K） | 22-25（25℃） |
| W/（m·K） | 15-18（100℃） | |
| 热膨胀系数 | K | 6.29×10-6 |
| 弹性模量 | GPa | 291 |
| 电阻率 | Ω·cm | 1×10-5 |
单晶SiC生长组件
MOCVD组件
高温元件
暂无产品
山东省禹城市南环东路88号
