SiC-CVD碳化硅

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的无机化合物,通常呈黑色或绿色晶体。它是一种典型的 高硬度、耐高温、宽禁带半导体材料,被称为“第三代半导体材料”。

特性

高耐热性、高纯度,避免污染最终产品、高密度涂层、使用寿命长

参数

性能 单位 数值
堆积密度 Mg/m³ 3.2
分解温度 2700
硬度 HK 2800
电阻率 Ω·m 0.2
抗弯强度 MPa 170
杨氏模量 GPa 320

应用领域解决方案

硅外延生长的衬底、单晶硅制造设备、MOCVD衬底、加热器、散热片、氧化抗性组件

致力于成为
中国CVD技术及碳陶产业的领航者
技术支持:海诚互联