PBN-热解氮化硼

热解氮化硼(PBN)是一种通过化学气相沉积法(CVD) 制备的高纯氮化硼陶瓷材料。与普通氮化硼粉末烧结制品不同,PBN是高致密度、无孔隙、纯度可达99.999%以上的陶瓷,它具有极佳的耐高温、耐腐蚀和电绝缘性能。

特性

高纯度与致密性:纯度高达99.999%以上,表面致密无孔隙,气密性优异,氦透过率低至1×10-10cm³/s 。

耐高温与热性能: 耐高温达2200℃,且强度随温度升高而增加,抗热震性极佳,热传导性能各向异性(a方向200℃时60W/m·K,c方向仅2.60W/m·K)。

化学惰性:耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀,与绝大多数熔融金属、半导体材料不浸润、不反应。

电学与特殊性能:高电阻率(2.4×1015Ω·cm)、高介电强度(室温56 KV/mm)、低介电常数和介质损耗角正切,并具有良好的透微波和红外线性能 。

各向异性与机械性能:在力学、热学、电学性能上呈现显著各向异性;抗张强度102N/mm²,抗弯强度243N/mm²。

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm3 1.95-2.20
抗张强度 N/mm2 102
抗弯强度 N/mm2 243
抗压强度 N/mm2 244
热导率 (200℃) W/m·k 60(a) 2.60(c)
热膨胀系数 (200℃) T.α/(1/K) 2.0×10-6(a)
介电常数(室温) / 5.81
电阻率 Ω·cm 2.4×1015

应用领域解决方案

  1. 半导体晶体生长:作为GaAs、InP、GaP等III-V族化合物半导体单晶生长的LEC、VGF、VB、MBE法坩埚,因其高纯度和化学惰性,避免熔体污染。
  2. OLED蒸发源:用于OLED生产的蒸发坩埚及支撑架,提供高绝缘性、高温稳定性且不释放气体。
  3. 高温防护涂层:为石墨加热器、石墨坩埚等提供PBN涂层,防止高温挥发和污染。
  4. 特种冶金与熔炼:作为高纯度金属蒸发镀膜、熔炼用的坩埚,耐受多种熔融金属且不反应 。
  5. 电子器件与窗口:用于行波管(TWT)支撑杆、MOCVD绝缘板、红外/微波透射窗口,利用其绝缘性、透波性和高温稳定性。
  6. 航空航天与真空设备:作为高温真空炉绝缘部件、高温绝缘流体喷嘴等,满足极端环境下的隔热、绝缘和结构稳定性要求。
致力于成为
中国CVD技术及碳陶产业的领航者
技术支持:海诚互联