高纯度与致密性：纯度高达99.999%以上，表面致密无孔隙，气密性优异，氦透过率低至1×10-10cm³/s 。
耐高温与热性能： 耐高温达2200℃，且强度随温度升高而增加，抗热震性极佳，热传导性能各向异性（a方向200℃时60W/m·K，c方向仅2.60W/m·K）。
化学惰性：耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与绝大多数熔融金属、半导体材料不浸润、不反应。
| 性能 Property | 单位unit | 数值 value | |
| 密度 Density | g/cm3 | 1.95-2.20 | |
| 抗张强度Tensile strength | N/mm2 | 102 | |
| 抗弯强度Bend strength | N/mm2 | 243 | |
| 抗压强度Compressive Strength | N/mm2 | 244 | |
| 热导率
Thermo conductivity |
(200℃) | W/m·k | 60（a） 2.60(c) |
| 热膨胀系数
Thermal expansion coefficient |
(200℃) | T.α/（1/K） | 2.0×10-6（a） |
| 介电常数（室温）Dielectric constant（at room temperature） | / | 5.81 | |
| 电阻率 Resistivity | Ω·cm | 2.4×1015 | |
半导体单晶生长：用于VGF（垂直梯度凝固）、LEC（液封直拉）法生长GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）等III-V族化合物单晶。PBN坩埚的高纯度和抗高温变形特性保证了晶体的低缺陷和高纯度。
分子束外延（MBE）：作为MBE坩埚，用于蒸发铝（Al）、镓（Ga）等材料，制备超晶格、量子阱等高端外延片。其高纯度和不润湿性确保了薄膜材料的精确化学计量和高质量。
OLED蒸镀与微电子：用于OLED蒸发源单元，耐高温、放气率极低，可实现均匀蒸镀，延长设备寿命并提升显示器件性能。
高温金属处理与冶金：用于熔融金属转移、特种冶金坩埚。其抗热震和耐腐蚀特性适合处理活性金属及合金。
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