AIN-氮化铝

氮化铝(Aluminum Nitride,AlN)是一种高性能陶瓷材料,由铝和氮元素组成,化学式为 AlN。它兼具优异的导热性能和电绝缘性能,在电子、半导体等高科技领域有着重要应用。

特性

极高的热导率

优异电绝缘性

与硅匹配的热膨胀系数

良好的机械强度和耐高温性能

耐化学腐蚀

参数

性能 单位 数值
密度 g/cm³ 3.26
莫氏硬度 7 – 8
抗弯强度 MPa 300 – 400
熔点 °C >2200 (在N2中分解)
最高使用温度 °C ~1350 (空气中)
热导率 (20°C) W/(m·K) 140 – 180
热膨胀系数 ×10-6/K 4.5 – 5.0
体积电阻率 (20°C) Ω·cm >10¹⁴
介电强度 kV/mm 15 – 20
介电常数 (1MHz) 8.5 – 9.0

应用领域解决方案

大功率LED基板、集成电路封装基板与散热片、半导体设备部件、激光二极管热沉、高温坩埚、电子绝缘体等。

产品展示

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