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LEC坩埚

一、产品概述
液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
二、主要特点:
1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
2.纯度高(>99.99%);
3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
三、产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。

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